富士通铁电存储器FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，以及医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域。近年来，还被应用于可穿戴设备、工业机器人以及无人机中。
富士通铁电存储器FRAM（Ferroelectric Random Access Memory）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能
富士通铁电存储器FRAM，可以完全取代Ramtron型号，完全兼容Cypress铁电。
MB85RC16PNF-G-JNERE1 16K bits 2K x 8 27V-36V 1MHz 1012 20年 SOP8 与FM24CL16B完全兼容替代；
MB85RC64PNF-G-JNERE1 64K bits 8K x 8 2.7 V - 3.6 V 1MHz 1012 20年 SOP8 与FM24CL64和FM24CL64B完全兼容替代；
MB85RC128PNF-G-JNERE1 128K bits 16K x 8 2.7 V - 3.6 V 1MHz 1012 20年 SOP8 与FM24V01完全兼容替代 |
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集成电路(IC)
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