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SiC MOSFET IV2Q12017T4Z SiC MOSFET IV2Q12017T4Z//SiC MOSFET IV2Q12017T4Z

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公 司: 无锡科微半导体有限司 
发布时间:2024年08月27日
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公 司:无锡科微半导体有限司

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详细说明

    IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET
特性
·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动
·高阻塞电压与低电阻
·高速开关与低电容
·高操作结温度能力
·非常快速和健壮的内在身体二极管
·开尔文门输入缓解驱动电路设计应用
应用
·电动电机驱动
·太阳能逆变器
·高压直流/直流转换器
·开关模式电源


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