应 用：半导体集成电路及器件的扩散、氧化、合金、退火等工艺
工 艺：扩散（硼扩散、磷扩散等），氧化（干氧氧化、湿氧氧化-去离子水氧化、氢氧合成氧化等），退火，合金等等
结 构：水平结构，垂直结构
晶圆规格：4"、5"、6"、8";
太阳能电池为125×125、156×156
工艺管数：水平结构为1-4管，垂直结构为1管
产品类型：生产型，科研型（R&D-小型）
产品等级：普通级（一般性的科研与生产）
标准级（国际通行技术标准及质量等级，如IC制造等）
系统组成：主机（FURNACE）、气源柜（GAS/SOURCE CABINET）、 工作台（LOADSTATION-自动送片/净化）、计算机控制系统
设备可配套提供典型的工艺及配套解决方案
扩散/氧化炉系统的主要技术指标
炉管配置：1-4管/台
晶圆规格：4"、5"、6"、8"
炉体控制段：3/5段
恒温区长：760（800）mm / 1000mm
反应室配置：石英管/碳化硅管
加热体材料：KANTHAL APM/A-1 或相当
温度均匀性：800-1300℃ /±0.5℃
300-900℃ /±1℃
工艺温度范围：300-1300℃
可控升温速度：15-20℃/min
降温速度：（1250～1000℃ ) 8℃/min
控制系统：工业计算机(10"-15"液晶屏)
送片系统：SiC悬臂/双石英杆
净化等级：100级或更好
净化风流：水平或垂直
送片速度：100mm-500mm/min
定位精度：2mm
气源气路：EP级316L管道1/4"或3/8"
阀门组件：SWAGELOK或相当
管道焊接：自动轨道焊接
工艺保证：提供典型的工艺 |
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