氮化镓（GAN）氧化炉青岛晨立电子有限公司

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公　司：青岛晨立电子有限公司

发布时间：2024年10月23日

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姜经理先生 (销售)

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电　　话： 0532-88533525 传　　真： 0532-67720618 手　　机： 13869885308 地　　址：中国山东即墨市山东省青岛市即墨区泰山三路285号联东U谷即墨科技创新谷3号楼邮　　编： 266200
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详细说明

该设备用于氮化镓（GAN）芯片生产工艺过程中的真空退火、合金、氧化、扩散等工艺。该系统具有精确温度控制系统和真空压力控制系统。

主要参数：

工作温度范围： 600-1280 度。

使用温度：1200 度。

每炉可处理 25 片。标准晶圆舟 25 片。

炉管有效口径：满足 6 寸片，可向下兼容 4、2 寸。

升温功率：18KVA/每管。

电源：三相五线制： 380V 三相五线。

具有断偶、超温报警以及二次保护功能。

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