※应用领域：
CNT生产的CVD(SiC)设备是一种用于在基片上生成高质量SiC和SiO2薄膜的专用设备。淀积温度能够较高 (1300～1800℃可调 ) ，特别适用于半导体器件和集成电路的钝化，用以提高器件和集成电路可靠性。目前，它已成为微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。
※产品描述：
CNT公司生产的CVD设备主要由全真空专用不锈钢腔体，分子泵高真空系统，电源，生长机体载体及温控系统，独立排气和生长压力调节系统，冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。
※技术指标：
参 数 名 称 单 位 配置
沉积类型 碳化硅，氮化硅
电 源 射频电源，带正向功率和反射功率计指示，带匹配器
加热系统 平板式双反应室系统，带加温和匀气系统
工 作 温 度 ℃ 1300~1800℃
基片台尺寸 (φ×H)mm 1英寸、二英寸、三英寸、四英寸
基片台转速 转速0-20RPM
控 温 精 度 ℃ ±1
极限真空 pa 6.67.0×10-5
密封系统 磁流体密封
水冷、气路系统 冷却水循环机、无噪声气泵
报警及保护 对缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警及相应保护措施
真空系统
（选 配） 真空系列 单级机械泵、扩散泵机组、分子泵
工作腔体 不锈钢
气氛系统 浮子流量计、进口、国产质量流量计
记录装置 进口、国产无纸记录仪
备注：西尼特可根据阁下要求提供各种非标产品的设计制造，欢迎来函、来电咨询！
24小时热线：400-668-6260 18610138965 Fax:010-51418223
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