FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 85A
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C： 3.1 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（*大）： 2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 196nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 9120pF @ 15V
功率 - *大： 2.3W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘
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场效应管
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