电子级三溴化硼
一、分子式：BBr3
二、分子量：250.5
三、理化性质:
三溴化硼具有强烈刺激性臭味，常温下为无色或稍带黄色的发烟液体。相对密度2.64，熔点-46℃，沸点91.7℃。溶于四氯化碳，吸水性强，易被水和醇等分解。见光、遇热易分解，受热可能爆炸，接触空气会冒出白烟。为强路易氏酸，能与碱反应形成络合物和加成物。有强刺激作用，腐蚀性较强，蒸气有毒。
四、用途：
电子级三溴化硼用于半导体集成电路、太阳能电池、半导体分离器件等行业中作为P型掺杂源，通过热扩散对晶体硅进行P型掺杂。其次，三溴化硼还是制造高纯硼及其他有机硼化物的原料。
CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化学气相沉积材料
Dielectrics PMD/IMD TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB
Low K Dielectrics 4MS ,OMCATS
High K Dielectrics TAETO (Ta2O5 Precursor )
TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor)
TMA (Al2O3 Precursor)
Metal Gate and Interconnect Metal TDMAT (TiN Precursor )
TiCl4 ( Ti /TiN Precursor )
Low-Temp Nitride/Oxide HCDS
Diffusion POCl3
供应半導體化學氣相沉積材料，專業研發及製造各種先進 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料。
CVD Precursor(化学气相沉积材料)
TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB
CVD Precursor(化學氣相沉積材料)
TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material
TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等 |
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