1、 设备名称与型号：自动温控加热板NHP-320
2、 设备外观图：（见图）
3、 设备概要：本设备可以同时加热30片2″wafer，片子通过PIN升降达到所有wafer加热时间相同，克服因人工夹放wafer造成的工艺不稳定问题。
4、 设备规格：
1) 基板尺寸：2″wafer；
2) Through Put：30片/run；
3) 温度范围：20~150℃(Plate表面)；
4) HP材质：AL+SALW（阳极处理）+Silastic Heater；
5) 加热面尺寸：(W×D×H) 510×430×12(mm)；
6) 温度分布：90℃ ±1℃；120℃±1℃；
7) 温度Sensor：PT100型热电偶；
8) 温度表示：温度调整器Digital表示；
9) 控制方式：Digital温度调整器+SSR（PID）；
10) 设备外面尺寸：(W×D×H) 566×486×170(mm)；
11) 设备净重：30Kg；
5、 设备运作流程：
（1）.查看设备外观无运输破损后，将电源线插入~220V接线板插坐;插上供气管
（2）.打开电源开关，设备自检初始化，顶针(PIN)顶起
（3）.设置加热温度；设置工作时间
（4）.放上待加热晶片
（5）.按开始键，顶针下落，晶片落下，贴紧加热板，开始加热，时间继电器开始计时
（6）.时间到，顶针（PIN）同时顶起晶片，所有晶片同时离开热板不再加热，蜂鸣器响起提醒工作人员取下加热均匀的晶片。
（7）.工作过程中，遇突发事件，可按停止按健，顶针立即顶起晶片，停止加热，时间继电器复位，方便随时进行人工干预。
6、 厂务要求：
项次 项目 內容 容量 备注
1 电源 AC 220V 15A 50Hz
2 CDA >6Kg 稳压1.5Kg
3 供气管 φ8mm 3Kg~10Kg
7、 产品优势：
a) 30片/run，产能优势；
b) Silastic Heater温度均匀性更高。 |
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