第5代A系列IGBT模块
采用CSTBTTM硅片技术
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著改善
应用领域
适合中、低端变频器产品设计
2单元 1200V
CM100DY-24A
CM150DY-24A
CM200DY-24A
CM300DY-24A
CM400DY-24A
CM600DY-24A
2单元 1700V
CM75DY-34A
CM100DY-34A
CM150DY-34A
CM200DY-34A
CM300DY-34A
CM400DY-34A
1单元 1200V
CM600HA-24A
CM400HA-24A
CM600HB-24A
第5代NF系列IGBT模块
性能特点
采用低损耗CSTBTTM硅片技术
LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用
额定电流定义比市场上同类产品高一个等级
外形尺寸与H系列IGBT完全兼容
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc
高功率循环能力
应用领域
通用变频器，伺服驱动器，UPS，特种电源等
二单元 600V
CM150DY-12NF
CM200DY-12NF
CM300DY-12NF
CM400DY-12NF
CM600DY-12NF
二单元 1200V
CM100DY-24NF
CM150DY-24NF
CM200DY-24NF
CM300DY-24NF
CM400DY-24NF
CM600DU-24NF
6单元 600V
CM75TL-12NF
CM100TL-12NF
CM150TL-12NF
CM200TL-12NF
6单元 1200V
CM50TL-24NF
CM75TL-24NF
CM100TL-24NF
CM150TL-24NF
CM200TL-24NF
7单元 600V
CM75RL-12NF
CM100RL-12NF
CM150RL-12NF
CM200RL-12NF
7单元 1200V
CM50RL-24NF
CM75RL-24NF
CM100RL-24NF
CM150RL-24NF
CM200RL-24NF |
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